DB44/T 622-2009印制电路板行业废水治理工程技术规范

1总 则

1.1范围

本规范适用于印制电路板生产过程所产生的废水治理工程的规划、设计、施工及安装、调试、验收和运行管理。

1.2实施原则

1.2.1印制电路板废水治理工程设计，应遵守国家基本建设程序进行。设计文件应按规定的内容和深度完成报批和批准手续。

1.2.2新建、改建、扩建印制电路板废水治理工程应和主体工程同时设计、同时施工、同时投产使用，必须符合厂区规划，布局合理，便于施工、维修、操作和日常监督管理。

1.2.3应采用清洁生产工艺技术，最大限度地提高资源、能源利用率，减少污染物排放量。

1.2.4鼓励多个企业废水集中治理，鼓励废水处理后回用。

1.2.5对于本规范推荐以外的、已经被试验或实践证明是切实可行的新技术、新材料，鼓励在印制电路板废水处理中应用。

1.2.6印制电路板废水治理工程建设，除应符合本规范规定外，还应符合国家有关工程质量、安全、卫生、消防等方面的强制性标准条文的规定。

2规范性引用文件

下列文件中的条款通过本标准的引用而成为本标准的条款。凡是注日期的引用文件，其随后所有的修改单(不包括勘误的内容)或修订版均不适用于本标准，然而，鼓励根据本标准达成协议的各方研究是否可使用这些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件，其最新版本适用于本标准。

GB 5085危险废物鉴别标准

GB 8978-1996污水综合排放标准

CJJ 60城市污水处理厂运行、维护及其安全技术规程

DB 44/26-2001水污染物排放限值,广东省地方标准

3术语

3.1印制电路板(PCB) Printed Circuit Board

在绝缘基材板上，具有按预定设计形成的印制元件或印制线路以及两者结合的导电图形。

3.2挠性电路板Flexible Printed Board

俗称软板或柔性板，用挠性基材制成的印制板，可以有或无挠性覆盖层。

3.3抗蚀剂Etch-resistant Coating

抗腐蚀材料，涂覆于铜箔，经过曝光或者加热后固化，从而使得设定区域的铜箔不被蚀刻而留下需要的电路。抗蚀剂也称膜，按形态可分为干膜和湿膜。

3.4油墨Ink

按分类有抗蚀油墨、抗电镀油墨、堵孔油墨、阻焊油墨(绿油)、标记油墨、导电油墨、可剥性油墨等。液态感光膜也被称为感光油墨。

3.5蚀刻Etching

采用化学反应方式将覆铜板上不需要的铜除去的过程。

3.6酸析Precipitation by Acid

在酸性条件下或与酸发生化学反应后，溶解态物质变为胶体态或固体态的过程。

3.7络合物Complex Compound

又称配位化合物。凡是由两个或两个以上含有孤对电子(或π键)的分子或离子作配位体，与具有空的价电子轨道的中心原子或离子结合而成的结构单元称络合单元，带有电荷的络合单元称络离子。电中性的络合单元或络离子与相反电荷的离子组成的化合物都称为络合物。

3.8螯合物Chelate Compound

又称内络合物，是螯合物形成体(中心离子)和某些合乎一定条件的螯合剂(配位体)配合而形成具有环状结构的配合物。

3.9氧化还原电位(ORP) Oxidation Reduction Potential

物质与氢电极构成原电池时的电压高低,反映物质氧化性强弱。废水在线监测ORP值是废水中所有氧化性和还原性物质氧化还原电位的总和。

3.10破络反应Complex Breakdown Reaction

将络合物的络合结构破坏、脱稳的化学或生物反应，俗称为破络反应。

3.11破氰反应Cyanogens Breakdown Reaction

将氰氧化并打破化学键的化学反应，俗称破氰反应。

3.12芬顿反应Fenton Reaction

在含有亚铁离子的酸性溶液中投加过氧化氢时的化学反应，属强氧化反应。

3.13废水分流Wastewater Separation System

用不同管渠系统分别收集和输送各种废水的方式。

3.14沉淀Sedimentation，Settling

利用悬浮物和水的密度差、重力沉降作用去除水中悬浮物的过程。

3.15气浮Floatation

运用絮凝和浮选原理使悬浮物上浮分离而被去除的过程。

3.16过滤Filtration

水流通过粒状材料或多孔介质以去除水中杂物的过程。

3.17絮凝Flocculation

完成凝聚的胶体在一定的外力扰动下相互碰撞、聚集，以形成较大絮状颗粒的过程。

3.18危险废物Dangerous Waste

具有腐蚀性、急性毒性、浸出毒性、反应性、传染性、放射性等一种及一种以上危害特性的废物。

3.19重金属污泥Heavy Metal Sludge

重金属废水处理后含有重金属的污泥，属于危险废物。

3.20废液Wasted Liquid

印制电路板生产过程中废弃的各种含高浓度污染物的溶液。

4废水水质与废水分流

4.1废水来源

印制电路板废水来自生产过程中的各道工序的清洗水以及部分废弃的槽液。

印制电路板废水处理工艺应针对下列主要污染物：Cu、COD、Ni、NH₃-N、CN、酸碱等，应分别采用不同流程进行处理或预处理。

4.2废水水量

设计废水量应根据项目环评报告及其批复环保意见或厂家给出的资料进行，无资料时可参考电路板产能进行估算：单面板按(0.17~0.36) t/m²；双面板按(0.5~1.32) t/m²；多层板按[(0.5+0.3n)~(1.3+0.5n)] t/m²；HDI板按[(0.6+0.5n)~(1.3+0.8n)] t/m²；n为增加的层数。

4.3在无明确水质数据时，印制电路板废水综合水质可参考表1。

表1印制电路板废水水质水量分类表(单位：mg/L，pH除外)

序号	废水种类	比例 (%)	pH	COD	Cu	Ni	CN	NH3-N	说明
1	磨板废水	15~30	5~7	<30	<3
2	络合废水	3~8	10	200~300	<50				化学镀铜等清洗水，含EDTA等络合物
3	高浓度有机废水	3~6	>10	5000~15000	2~10				显影、剥膜、除胶废液和显影首级清洗水
4	一般有机废水	10~15	<10	200~600					脱膜、显影工序的二级后清洗水；贴膜、氧化后、镀锡后以及保养清洗水
5	电镀废水	15~20	3~5	<60	10~50
6	综合废水	20~30	3~5	80~300	20~35				一般清洗水
7	含氰废水	0.1~1.0	8~10	30~50			<200		挠性板含氰废水较多
8	含镍废水	0.1~1.0	2~5	<80		<100			镀镍清洗水
9	含氨废水	1~5	8~10					60~200	碱性蚀刻清洗水

4.4在无明确水质数据时，印制电路板废液成份可参考表2。

表2印制电路板废液分类及成份表(单位：mg/L，pH除外)

序号	废液种类	pH	COD	总Cu	废液成分
1	油墨废液	≥12	5000~20000		冲板机显影阻焊油墨渣
2	褪膜废液	≥12	5000~20000		(3~8)％NaOH，溶解性干膜或湿膜
3	化学镀铜废液	≥12	3000~20000	2000~10000	CaSO4，NaOH，EDTA，甲醛
4	挂架褪镀废液	~5M酸	50~100	~80000	硝酸铜，浓硝酸
5	碱性蚀刻废液	9	50~100	130000~150000	Cu(NH3)2Cl2
6	酸性蚀刻废液	~2M酸	50~100	150000	CuCl2，HCl
7	褪锡铅废液	~5M酸	50~100	100~1000	Sn(NO3)2，HNO3(或者氢氟酸/氟化氢胺)
8	微蚀废液	≤1	50~100	＜30000	过硫酸铵APS(过硫酸钠NPS)+(2~3)%硫酸； 或硫酸+双氧水
9	高锰酸钾废液	≥10	2000~3000	100~300	高锰酸钾，胶渣
10	棕化废液	0.1	50~100	25000	(4~6)%H2SO4,有机添加剂
11	预浸废液	酸性	50~100	800~1500	SnCl2，HCl，NaCl，尿素
12	助焊剂废液	3~4	10000~20000	1000~2000	松香，焊剂载体，活性剂，稀释剂(热风整平前使用)
13	抗氧化剂废液(OSP)	3~4	~15000	1000~2000	烷基苯骈咪唑，有机酸，乙酸铅，CaCl2，苯骈三氮唑，咪唑
14	膨胀废液	≥7	100000~200000	10~100	有机溶剂丁基卡必醇等
15	碱性除油废液	≥10	2000~8000	10~20	碱性，有机化合物，表面活性剂(乳化剂，磷酸三钠，碳酸钠)
16	酸性除油废液	≤1	2000~5000	50~300	硫酸，磷酸，有机酸，表面活性剂
17	显影类废液	≥12	~4000	300~500	Na2CO3(褪膜液为NaOH)
18	废酸	~3%酸	50~100	30~100	H2SO4，HCl，柠檬酸
19	废钯液(活化液)	≤1	50~100	40~80	PdCl2，HCl，SnCl2，Na2SnO3

4.5废水分流原则

a)一类污染物镍应单独分流；

b)离子态铜与络合态铜应分流后分别处理；

c)显影脱膜(退膜、去膜)废液含高浓度有机物，应单独分流；一般有机物废水根据实际需要并核算排放浓度后确定分流去向；

d)氰化物废水宜单独分流；含氰化物废水须避免铁、镍离子混入；

e)废液应单独分流收集；

f)具体分流应根据处理需要和当地环保部门要求，确定工程的实际分流种类；

5废水处理工艺

5.1铜的去除

印制电路板行业废水中铜有多种存在形式：离子态铜、络合态铜或螯合态铜，应按不同方法分别进行去除。离子态铜经混凝沉淀去除。络合态或螯合态铜经过破络以后混凝沉淀去除。

5.1.1离子态铜去除基本流程：

图1离子态铜的化学法处理流程

中和混凝时设定控制pH值应根据现场调试确定，设计可按pH 8~9进行药剂消耗计算。

5.1.2络合态或螯合态铜的去除常用破络方法有：

Fe³⁺可掩蔽EDTA，从而释放Cu²⁺；其处理成本廉价，应优先采用。硫化物法可有效去除EDTA-Cu，过量的S可采用Fe盐去除；

Fenton氧化可破坏络合剂的部分结构而改变络合性能；

重金属捕集剂是螯合剂，能形成更稳定的铜螯合物并且是难溶物；离子交换法可交换离子态的螯合铜，并将其去除。

生化处理可改变络合剂或螯合剂性能，释放Cu²⁺，具有广泛的适用性。具体设计应根据试验结果确定破络工艺。

5.1.3破络反应基本流程

图2络合铜的基本处理流程

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